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砷化镓半导体激光器(GaAs)

时间:2011-12-31 22:43:45  来源: 打印本文

砷化镓半导体激光器(GaAs)

2005/11/26/14:30功能:

    它具有近红外高重复频率和峰值功率较高的特点。和所有半导体激光器一样还具有体积小,耗能少和寿命长的优点

用途:

    可用于光信息传输和信息处理,以及激光测距等

工作原理:

    用半导体材料作为激光工作物质的激光器称为半导体激光器,P-N结电注入型半导体激光器又称为激光二级管(Diode),或LD。半导体材料可以是两元、三元或多元化合物,其结构可以是同质结或单异质结(SHL),双异质结(DHL)等,还可以将单管LD组成阵列式(array)或层叠式(stack)以增大输出。激励方式除P-N结电注入外,还有电子束激励,光激励和雪崩击穿等方式。通常仅指明工作物质的元素,来区分不同的半导体激光器

相关标准:

GB/T15167-1994 半导体激光光源总规范
SJ/T2749-1987 半导体激光二极管测试方法