激光与物质的相互作用/PRODUCTS
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名词解释:半导体能隙
名词解释:半导体能隙
2005/10/21/10:42 以物理的观点来说,在室温时,部分电子获得足够的能量而从价电带跃迁到导电带,在价电带留下一些带正电的空位(电洞)。当电子从导电带再度跃迁回到价电带与电洞结合时,将导电带与价电带间能量差,就是“能隙”,用光或热的形式释放出来。如果在能量转移过程中,电子的动量保持一定,那么电子可从导电带直接跃迁到价电带而发出光,这就称为直接跃迁。如果电子与电洞结合必须改变其动量,则跃迁相当困难且多半用热的方式将能量散出,这就称为间接跃迁。
在直接跃迁中,半导体的波长(单位是奈米)与能隙(单位是电子伏特)的关系是波长=1240∕能隙(奈米=10-9米,奈米:人的头发直径不超过10-4米,头发的直径大约是一奈米的十万倍左右),由此关系式可知,半导体激光的波长取决于能隙大小。
半导体的材料可分为元素半导体及化合物半导体,常见的元素半导体材料,如硅与锗,都是间接能隙材料,不合适做为发光材料。目前常见的发光组件材料多为直接能隙的化合物半导体,如三族、五族的砷化镓与磷化铟,或二族、六族的硒化锌与硫化锌等。此外,也可利用三元或四元化合物半导体,其能隙可随着元素成分改变而调变,而得到不同波长的光。例如,三元化合物半导体铝χ镓1-χ砷是以砷化镓与砷化铝所合成,我们可调整三价元素铝和镓的比例来得到不同波长的光。