应变量子阱VCSEL

2005/2/3/11:13　　无应变量子阱激光器对材料的晶格匹配要求比较严格。在理论和实验上都表明，在其中加入应变，能使其能带结构改变、阈值电流及其密度降低、外量子效率增加、波长延拓、输出功率增加、可靠性提高、进而改变其偏振等特性。因此，在此基础上发展起来了应变量子阱结构，扩大了作为有源区生长在一起的两种材料的自由度空间。目前，垂直腔面发射应变量子阱激光器的各种特性已经得到了人们的广泛重视，并正在进行研究。2002年应变量子阱激光器阵列的偏振稳定性被报道。在GaAs(311)B衬底上生长的高应变GaInAs/GaAs垂直腔面发射激光器的偏振稳定性也被报道。

　　另外，可见光等波段的VCSELs也是人们研究的热点。因为它可以用于高密度CD、激光扫描、光互联。例如红、绿、蓝三原色的VCSEL列阵，可用在彩色印刷和平面显示等方面。