由两种不同的半导体薄膜做成超晶格时，在生长方向上形成的对于载流子的势阱和势垒。在能隙宽度较小的薄膜材料内，电子处于势阱之中。 当超晶格的周期小到可与电子的德布罗意波长相比拟或更短时，每个势阱中的电子在垂直于结面方向运动的能量不再连续，电子的运动将明显呈现量子性，在势阱内出现分立的量子能级，故称这种势阱为量子阱。
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