连续室温半导体激光器

　　现在已用双异质结制成在室温下能连续输出几十毫瓦的半导体激光器。其输出波长为900nm（近红外光）；器件工作寿命已达数万小时，甚至数十万小时；功率转换效率超过20％；成为目前激光光纤传输的重要光源。

　　为了降低阈值电流和实现室温下连续运转，通常由异种材料来构成“结”，称为“异质结”的新结构。若在GaAs衬底的两侧各“生长”出P-GaAlAs层和n-GaAlAs层，则称为双异质结，其激活区厚度d≈0.5um。

　　半导体双异质结构激光器其发光机理，仍可为电注入结区，由电子和空穴复合而产生。由于结区是由不同的半导体材料结合而成，使得电子和空穴不再往深处扩散，而在结的交界面反射（因折射率的差异）。于是电子积蓄在狭窄区域内，使电子浓度增高。减小扩散吸收损耗，从而提高了光的增益，降低了阈值电流，有利于实现室温下连续运转。