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多量子阱激光器
多量子阱激光器
2005/4/4/13:51 MQW激光器是用超薄膜(厚度〈20nm〉形成有源层,能呈现量子效应的异质结半导体激光器,普通半导体激光器的有源层厚度为几百纳米到几千纳米。电子在有源层的运动是三维的,当有源层的厚度减小到20nm而与电子的自由程接近时,电子就不能在层厚方向做自由运动,只能在层面内作横向运动,电子能量变成一个个离散值,即呈现量子效应,有源层由多个薄层构成,由于载流子和光子被限制在薄层之内,从直观来看就是载流子和光子都很集中,因此容易发生激射。MQW激光器的优点:
(1)阈值电流小,由于其结构中“阱“的作用,使电子和空穴被限制在很薄的有源区内,造成有源层内粒子数反转浓度很高,因而大大降低了阈值电流,由于阈值电流的降低,还带来了功耗低,温度特性好的优点。
(2)线宽变窄。由于量子阱中带间复合的特点,造成线宽增大系数a变小,从而减小了光谱中的线宽,同双异质结激光器相比,缩小了近一倍。
(3)器件的微分增益高,注入电流的微小变化能够引起光功率的较大变化。
(4)调制速度高。工作频段可达30GHZ。
(5)频率啁啾小,动态单纵模特性好,纵模控制能力强。