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AlGaAs/GaAs半导体脉冲激光器

时间：2011-12-31 22:52:03  来源： 打印本文

AlGaAs/GaAs半导体脉冲激光器

2005/7/5/8:15    AlGaAs/GaAs半导体激光器采用了分子束外延生长技术，通过精确控制组份，生长厚度和优化单量子阱器件结构，使这类激光器具有高增益、低阈值电流，从而改善光波导，降低损耗。具有器件体积小，脉冲功率大，亮度高，效率高，温度特性好等优点。

    目前已在军事、医疗、测量、游艺等领域得到了广泛的应用。